Vishay IRFP Type N-Channel MOSFET, 23 A, 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP360LCPBF
- N° de stock RS:
- 541-0171
- Référence fabricant:
- IRFP360LCPBF
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
6,66 €
(TVA exclue)
8,06 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Dernier stock RS
- Plus 2 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 janvier 2026
- Plus 2 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 janvier 2026
- 196 unité(s) finale(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,66 € |
| 10 - 24 | 5,72 € |
| 25 - 49 | 5,34 € |
| 50 - 99 | 4,99 € |
| 100 + | 4,33 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 541-0171
- Référence fabricant:
- IRFP360LCPBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 400V | |
| Series | IRFP | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 200mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 280W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.87mm | |
| Height | 20.7mm | |
| Width | 5.31 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 400V | ||
Series IRFP | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 200mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 280W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.87mm | ||
Height 20.7mm | ||
Width 5.31 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay IRFP Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFP Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP360PBF
- Vishay IRFP Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFP Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP350LCPBF
- Vishay IRFP Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP350PBF
- Vishay IRFP Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFP Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Vishay IRFP Type N-Channel MOSFET 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247