STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 80 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP75NF75
- N° de stock RS:
- 485-7844P
- Référence fabricant:
- STP75NF75
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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| 100 - 499 | 1,82 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 485-7844P
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- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | STripFET II | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 117nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 9.15mm | |
| Width | 4.6 mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series STripFET II | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 117nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 9.15mm | ||
Width 4.6 mm | ||
Length 10.4mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.