STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET, 55 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 485-7721P
- Référence fabricant:
- STP55NF06L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total 10 unités (conditionné en tube)*
14,72 €
(TVA exclue)
17,81 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 12 370 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 10 + | 1,472 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 485-7721P
- Référence fabricant:
- STP55NF06L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | STripFET II | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 95W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.15mm | |
| Width | 4.6 mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series STripFET II | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 95W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.15mm | ||
Width 4.6 mm | ||
Length 10.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.