STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 55 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 485-7721P
- Référence fabricant:
- STP55NF06L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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| 500 + | 0,60 € |
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- N° de stock RS:
- 485-7721P
- Référence fabricant:
- STP55NF06L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | STripFET II | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 18mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 95W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -16V, +16V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 9.15mm | |
| Width | 4.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series STripFET II | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 18mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 95W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -16V, +16V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 9.15mm | ||
Width 4.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.