STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 485-7686
- Référence fabricant:
- STP4NK60Z
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
6,90 €
(TVA exclue)
8,35 €
(TVA incluse)
Ajouter 60 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- 5 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 2 480 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 1,38 € | 6,90 € |
| 10 + | 1,31 € | 6,55 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 485-7686
- Référence fabricant:
- STP4NK60Z
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | MDmesh, SuperMESH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 70W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.6 mm | |
| Length | 10.4mm | |
| Height | 9.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series MDmesh, SuperMESH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 70W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.6 mm | ||
Length 10.4mm | ||
Height 9.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Liens connexes
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP4NK60Z
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP9NK60Z
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP13NK60Z