STMicroelectronics STW65N Type N-Channel MOSFET, 54 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247-4 STW65N045M9-4

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

214,41 €

(TVA exclue)

259,44 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 300 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
30 - 307,147 €214,41 €
60 - 606,964 €208,92 €
90 +6,79 €203,70 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
287-7053
Référence fabricant:
STW65N045M9-4
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

54A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247-4

Series

STW65N

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

45mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

312W

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is based on the most innovative super junction MDmesh M9 technology. The silicon based M9 technology benefits from a multi drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super junction Power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.

Higher dv/dt capability

Excellent switching performance

Easy to drive

100 percent avalanche tested

Liens connexes