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STMicroelectronics MASTERG Type P, Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 650 V Enhancement, 31-Pin QFN-9 MASTERGAN4LTR

N° de stock RS:: 287-7042
Référence fabricant:: MASTERGAN4LTR
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MASTERG Type P, Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 650 V Enhancement, 31-Pin QFN-9 MASTERGAN4LTR

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

14 118,00 €

(TVA exclue)

17 082,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	4,706 €	14 118,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 287-7042
Référence fabricant:: MASTERGAN4LTR
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	MASTERG
	Package Type	QFN-9
	Mount Type	Surface
	Pin Count	31
	Maximum Drain Source Resistance Rds	300mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.5nC
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Power Dissipation Pd	40mW
	Maximum Operating Temperature	125°C
	Height	1mm
	Standards/Approvals	RoHS, ECOPACK
	Length	9mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P, Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series MASTERG
	Package Type QFN-9
	Mount Type Surface
	Pin Count 31
	Maximum Drain Source Resistance Rds 300mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.5nC
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Power Dissipation Pd 40mW
	Maximum Operating Temperature 125°C
	Height 1mm
	Standards/Approvals RoHS, ECOPACK
	Length 9mm
	Automotive Standard No

Datasheet - MASTERGAN4LTR

Pays d'origine :: TH

The STMicroelectronics Microcontroller is an advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in half‑bridge configuration. The integrated power GaNs have RDS(ON) of 225 mΩ, 650 V drain‑source blocking voltage, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.

Zero reverse recovery loss

UVLO protection on VCC

Internal bootstrap diode

Interlocking function

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