STMicroelectronics MASTERG Type N, Type P-Channel MOSFET, 9.7 A, 650 V Enhancement, 31-Pin QFN-9 MASTERGAN1LTR

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287-7041
Référence fabricant:
MASTERGAN1LTR
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N, Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

9.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

QFN-9

Series

MASTERG

Mount Type

Surface

Pin Count

31

Maximum Drain Source Resistance Rds

220mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

40mW

Maximum Operating Temperature

125°C

Length

9mm

Width

9 mm

Standards/Approvals

RoHS, ECOPACK

Height

1mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
TH
The STMicroelectronics Microcontroller is an advanced power system in package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN transistors in half‑bridge configuration. The integrated power GaNs have RDS(ON) of 150 mΩ, 650 V drain‑source blocking voltage, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode.

Zero reverse recovery loss

UVLO protection on VCC

Internal bootstrap diode

Interlocking function

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