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STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N600K6

N° de stock RS:: 275-1355
Référence fabricant:: STP80N600K6
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N600K6

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N° de stock RS:: 275-1355
Référence fabricant:: STP80N600K6
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-220
	Series	STP
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	600mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	86W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10.7nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.6mm
	Length	28.9mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-220
	Series STP
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 86W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.7nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.6mm
	Length 28.9mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - STP80N600K6

Pays d'origine :: CN

The STMicroelectronics high voltage N-channel power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best in class on resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Ultra low gate charge

100 percent avalanche tested

Zener protected

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