STMicroelectronics STL Type N-Channel MOSFET, 120 A, 40 V Enhancement, 4-Pin ECOPACK STL260N4F7
- N° de stock RS:
- 273-5099
- Référence fabricant:
- STL260N4F7
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
3 693,00 €
(TVA exclue)
4 470,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 28 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 1,231 € | 3 693,00 € |
| 6000 + | 1,17 € | 3 510,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-5099
- Référence fabricant:
- STL260N4F7
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | ECOPACK | |
| Series | STL | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type ECOPACK | ||
Series STL | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for Faster and more efficient switching.
AEC-Q101 qualified
Excellent FoM
High avalanche ruggedness
Liens connexes
- STMicroelectronics STL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin ECOPACK STL260N4F7
- STMicroelectronics N-Channel STL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics N-Channel STL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL170N4LF8
- STMicroelectronics STL Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics STL Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL320N4LF8
- STMicroelectronics STL Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT STL325N4LF8AG
- STMicroelectronics STripFETTM F7 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin ECOPACK STK184N4F7AG
- STMicroelectronics STL Type N-Channel N-Channel Mosfet 40 V, 8-Pin PowerFLAT STL160N4F8
