Infineon BSC Type N-Channel MOSFET, 106 A, 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- N° de stock RS:
- 273-2632
- Référence fabricant:
- BSC0902NSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 273-2632
- Référence fabricant:
- BSC0902NSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 106A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | BSC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 0.35mm | |
| Length | 6.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 106A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TDSON | ||
Series BSC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 0.35mm | ||
Length 6.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Power MOSFET is a N channel 30 V power MOSFET. This MOSFET is 100 avalanche tested. It is a fully qualified according to JEDEC for target applications and optimized for high performance buck converter.
Halogen free
RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
Superior thermal resistance
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