STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 12 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80N340K6
- N° de stock RS:
- 269-5164P
- Référence fabricant:
- STP80N340K6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Référence fabricant:
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- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | STP | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 340mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 115W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.8nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 10.4 mm | |
| Height | 4.6mm | |
| Length | 28.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series STP | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 340mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 115W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.8nC | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 10.4 mm | ||
Height 4.6mm | ||
Length 28.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is a very high voltage is designed using the ultimate MDmesh K6 technology result in the best class on resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Ultra low gate charge
100 percent avalanche tested