Vishay SiRA Type N-Channel MOSFET, 128 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA54ADP-T1-RE3

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268-8336
Référence fabricant:
SiRA54ADP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

128A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiRA

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0022Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is single configuration device and It is used an application as synchronous rectification and motor drive control.

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

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