ROHM R6013VNX N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 265-5418P
- Référence fabricant:
- R6013VNXC7G
- Fabricant:
- ROHM
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- N° de stock RS:
- 265-5418P
- Référence fabricant:
- R6013VNXC7G
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | R6013VNX | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 54W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series R6013VNX | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 54W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple