ROHM R6013VND3 NaN N-Channel MOSFET, 13 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- N° de stock RS:
- 265-5415P
- Référence fabricant:
- R6013VND3TL1
- Fabricant:
- ROHM
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|---|---|---|
| 50 - 95 | 1,756 € | - |
| 100 - 245 | 1,412 € | 19% |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 265-5415P
- Référence fabricant:
- R6013VND3TL1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | R6013VND3 NaN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 131W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS NaN | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series R6013VND3 NaN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 131W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS NaN | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple