Microchip VP2110 Type P-Channel MOSFET, -120 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

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N° de stock RS:
264-8951P
Référence fabricant:
VP2110K1-G
Fabricant:
Microchip
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Marque

Microchip

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-120mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

VP2110

Package Type

SOT-23

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

2V

Maximum Power Dissipation Pd

0.36W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.9mm

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

The Microchip P-Channel low threshold, enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors, and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-to-drain diode

High input impedance and high gain

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