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Microchip Type N-Channel MOSFET, 140 mA, 240 V MOSFET, 3-Pin SOT-23 TN2124K1-G

N° de stock RS:: 264-8915
Référence fabricant:: TN2124K1-G
Fabricant:: Microchip

Microchip Type N-Channel MOSFET, 140 mA, 240 V MOSFET, 3-Pin SOT-23 TN2124K1-G

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100 - 240	0,577 €	5,77 €
250 - 990	0,566 €	5,66 €
1000 +	0,554 €	5,54 €

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N° de stock RS:: 264-8915
Référence fabricant:: TN2124K1-G
Fabricant:: Microchip

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Microchip
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	140mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	240V
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Channel Mode	MOSFET
	Maximum Power Dissipation Pd	0.36W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Microchip
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 140mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 240V
	Package Type SOT-23
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Channel Mode MOSFET
	Maximum Power Dissipation Pd 0.36W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - TN2124K1-G

The Microchip N-Channel low threshold enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Free from secondary breakdown

Low power drive requirement

Ease of paralleling

Low CISS and fast switching speeds

Excellent thermal stability

Integral source-drain diode

High input impedance and high gain

Microchip Type N-Channel MOSFET, 140 mA, 240 V MOSFET, 3-Pin SOT-23 TN2124K1-G

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