Microchip TN0610 Type N-Channel MOSFET, 500 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-92

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total 50 unités (conditionné en sac)*

47,20 €

(TVA exclue)

57,10 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 1 980 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
50 - 950,944 €
100 - 2450,878 €
250 - 4950,86 €
500 +0,84 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
264-8912P
Référence fabricant:
TN0610N3-G
Fabricant:
Microchip
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Microchip

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

500A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-92

Series

TN0610

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Microchip N-Channel low threshold enhancement-mode (normally-off) MOSFET utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold - 2.0V max.

High input impedance

Low input capacitance - 100pF typical

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.