ROHM RQ5E040TN N-Channel MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-346 RQ5E040TNTL
- N° de stock RS:
- 264-3829
- Référence fabricant:
- RQ5E040TNTL
- Fabricant:
- ROHM
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| 100 - 225 | 0,209 € | 5,23 € | 7,00 € |
| 250 - 975 | 0,204 € | 5,10 € | 18,75 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 264-3829
- Référence fabricant:
- RQ5E040TNTL
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | RQ5E040TN | |
| Package Type | SOT-346 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 48mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.9nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series RQ5E040TN | ||
Package Type SOT-346 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 48mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.9nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Pb-free lead plating, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- TH
The ROHM small signal MOSFET is a MOSFET with low on resistance, suitable for switching, it is small surface mount package. Pb-free lead plating; RoHS compliant and AEC-Q101 qualified.
Built-in G-S protection diode
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