Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 45 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-252

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N° de stock RS:
262-6767
Référence fabricant:
IRFR2607ZTRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

45A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Series

HEXFET

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

22mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Ultra low on-resistance

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

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