STMicroelectronics MDmesh K6 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 800 V, 3-Pin TO-220

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261-5485P
Référence fabricant:
STP80N450K6
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

MDmesh K6

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.6Ω

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25.9nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Worldwide best RDS(on) x area

Worldwide best FOM (figure of merit)

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

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