STMicroelectronics MDmesh K6 Type N-Channel MOSFET, 10 A, 800 V, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 261-5484
- Référence fabricant:
- STP80N450K6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 50 unités)*
114,00 €
(TVA exclue)
138,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 26 juillet 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 2,28 € | 114,00 € |
| 250 - 450 | 2,223 € | 111,15 € |
| 500 + | 2,161 € | 108,05 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 261-5484
- Référence fabricant:
- STP80N450K6
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | MDmesh K6 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.6Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25.9nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series MDmesh K6 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.6Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25.9nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate MDmesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.
Worldwide best RDS(on) x area
Worldwide best FOM (figure of merit)
Ultra low gate charge
100% avalanche tested
Zener protected
Liens connexes
- STMicroelectronics MDmesh K6 Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220 STP80N450K6
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP11NM80
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STF11NM80
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP18NM80
- STMicroelectronics MDmesh 3 A 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh 6.2 A 3-Pin TO-220