STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 64 A, 650 V, 3-Pin ACEPACK SMIT
- N° de stock RS:
- 261-5481P
- Référence fabricant:
- SH68N65DM6AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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- N° de stock RS:
- 261-5481P
- Référence fabricant:
- SH68N65DM6AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 64A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | ACEPACK SMIT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 41mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 116nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 64A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type ACEPACK SMIT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 116nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- PH
The STMicroelectronics combination of two MOSFETs in a half-bridge topology. The ACEPACK SMIT is a very compact and rugged power module in a surface mount package for easy assembly. The DBC substrate, the ACEPACK SMIT package offers low thermal resistance coupled with an isolated top-side thermal pad. The high design flexibility of the package enables several configurations, including phase legs, boost, and single switch through different combinations of the internal power switches.
Half bridge power module
650 V blocking voltage
Fast recovery body diode
Very low switching energies
Low package inductance