STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 32 A, 650 V, 3-Pin ACEPACK SMIT
- N° de stock RS:
- 261-5478P
- Référence fabricant:
- SH32N65DM6AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- N° de stock RS:
- 261-5478P
- Référence fabricant:
- SH32N65DM6AG
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 32A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | ACEPACK SMIT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 97mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 32A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type ACEPACK SMIT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 97mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- PH
The STMicroelectronics automotive grade N channel power MOSFET combination of two MOSFETs in a half-bridge topology. The ACEPACK SMIT is a very compact and rugged power module in a surface mount package for easy assembly. The DBC substrate, the ACEPACK SMIT package offers low thermal resistance coupled with an isolated top side thermal pad. The high design flexibility of the package enables several configurations, including phase legs, boost, and single switch through different combinations of the internal power switches.
Half bridge power module
650 V blocking voltage
Fast recovery body diode
Very low switching energies
Low package inductance