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STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 32 A, 650 V, 3-Pin ACEPACK SMIT SH32N65DM6AG

N° de stock RS:: 261-5477
Référence fabricant:: SH32N65DM6AG
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 32 A, 650 V, 3-Pin ACEPACK SMIT SH32N65DM6AG

Sous-total (1 bobine de 200 unités)*

3 330,80 €

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200 +	16,654 €	3 330,80 €

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N° de stock RS:: 261-5477
Référence fabricant:: SH32N65DM6AG
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	32A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Package Type	ACEPACK SMIT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	97mΩ
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	47nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 32A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Package Type ACEPACK SMIT
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 97mΩ
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SH32N65DM6AG

Pays d'origine :: PH

The STMicroelectronics automotive grade N channel power MOSFET combination of two MOSFETs in a half-bridge topology. The ACEPACK SMIT is a very compact and rugged power module in a surface mount package for easy assembly. The DBC substrate, the ACEPACK SMIT package offers low thermal resistance coupled with an isolated top side thermal pad. The high design flexibility of the package enables several configurations, including phase legs, boost, and single switch through different combinations of the internal power switches.

Half bridge power module

650 V blocking voltage

Fast recovery body diode

Very low switching energies

Low package inductance

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