Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 185 A, 60 V, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 260-1209
- Référence fabricant:
- IPP019N06NF2SAKMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 1000 unités)*
833,00 €
(TVA exclue)
1 008,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 03 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,833 € | 833,00 € |
| 2000 + | 0,792 € | 792,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 260-1209
- Référence fabricant:
- IPP019N06NF2SAKMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 185A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | IPP | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.9mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Forward Voltage Vf | 0.92V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 108nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 15.8 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Height | 4.75mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 185A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series IPP | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.9mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Forward Voltage Vf 0.92V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 108nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 15.8 mm | ||
Standards/Approvals RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Height 4.75mm | ||
Length 10.67mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is qualified according to JEDEC standard and is optimized for wide range of applications.
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen-free
Liens connexes
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 60 V PG-TO220-3 IPP019N06NF2SAKMA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 60 V PG-TO220-3 IPP014N06NF2SAKMA2
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 60 V PG-TO220-3 IPP016N06NF2SAKMA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 60 V PG-TO220-3 IPP030N06NF2SAKMA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 60 V PG-TO220-3 IPP040N06NF2SAKMA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor, 84 A PG-TO220-3 IPP120N20NFDAKSA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 3-Pin PG-TO220 IPP086N10N3GXKSA1
- Infineon N-Channel MOSFET Transistor 3-Pin PG-TO220 IPP120N10S405AKSA1
