Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 207 A, 600 V N HDSOP

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N° de stock RS:
260-1201
Référence fabricant:
IPDQ60R040S7XTMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

207A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

HDSOP

Series

IPD

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

0.82V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

272W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

83nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

15.5 mm

Length

15.1mm

Height

2.35mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET enables the best price performance for low frequency switching applications. CoolMOS S7 boasts the lowest Rdson values for a HV SJ MOSFET, with distinctive increase of energy efficiency. CoolMOS S7 is optimized for “static switching” and high current applications. It is an ideal fit for solid state relay and circuit breaker designs as well as for line rectification in SMPS and inverter topologies.

High pulse current capability

Increased system performance

More compact and easier design

Lower BOM or/and TCO over prolonged life time

Shock & vibration resistance

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