Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 13.3 A, 950 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 434,00 €

(TVA exclue)

1 735,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 11 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +1,434 €1 434,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
260-1100
Référence fabricant:
IPB95R450PFD7ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

13.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

950V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 950V CoolMOS PFD7 series sets a new benchmark in the super junction(SJ) technologies. This technology is designed to address Lighting and Industrial SMPS applications by combining best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. Compared to the CoolMOS P7 families, the PFD7 offers an integrated ultra fast body diode enabling usage in resonant topologies with markets lowest reverse recovery charge(Qrr).

Best-in-class CoolMOS quality and reliability

Best-in-class RDS (on) in THD and SMD packages

ESD protection minimum Class2 (HBM)

Liens connexes