Références fabricant

Infineon MOSFET, 50 A, 2000 V AG-EASY3B

N° de stock RS:: 260-1092
Référence fabricant:: DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Fabricant:: Infineon

Sous-total (1 plateau de 8 unités)*

1 789,344 €

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Unité	Prix par unité	le plateau*
8 +	223,668 €	1 789,34 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 260-1092
Référence fabricant:: DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	2000V
	Package Type	AG-EASY3B
	Mount Type	Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds	26.5mΩ
	Forward Voltage Vf	6.15V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 50A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 2000V
	Package Type AG-EASY3B
	Mount Type Surface
	Maximum Drain Source Resistance Rds 26.5mΩ
	Forward Voltage Vf 6.15V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - DF419MR20W3M1HFB11BPSA1

The Infineon MOSFET features a 4-leg boost configuration in one Easy 3B housing and comes with the latest CoolSiC M1H generation. The 2000 V SiC MOSFET shares the same performance and benefits as the 1200 V M1H series incl. 12% lower RDS(on) at 125° C, wider gate source voltage area for higher flexibility, a maximum junction temperature of 175° C and smaller chip sizes.

High current density

Low inductive design

Rugged mounting due to integrated mounting clamps