Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 129 A, 80 V P TO-252 IPD040N08NF2SATMA1
- N° de stock RS:
- 259-2599
- Référence fabricant:
- IPD040N08NF2SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 259-2599
- Référence fabricant:
- IPD040N08NF2SATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 129A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Mode | P | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 129A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Mode P | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFETs are optimized for a broad range of applications like SMPS, motor drive, battery powered, battery management, UPS, and light electric vehicles. This new technology offers up to 40 percent RDS(on) improvement and up to 60 percent lower Qg compared to the previous StrongIRFET devices, translating into higher power efficiency for improved overall system performance. Increased current ratings allow for higher current carrying capability, eliminating the need to parallel multiple devices translating to lower BOM costs and board savings.
Broad availability from distribution partners
Excellent price/performance ratio
Ideal for high and low switching frequencies
Industry standard footprint through-hole package
High current rating
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