Infineon CoolMOS^TM Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3
- N° de stock RS:
- 259-1574
- Référence fabricant:
- SPP06N80C3XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
35,90 €
(TVA exclue)
43,45 €
(TVA incluse)
Ajouter 150 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- 300 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,718 € | 35,90 € |
| 100 - 200 | 0,684 € | 34,20 € |
| 250 - 450 | 0,666 € | 33,30 € |
| 500 - 950 | 0,649 € | 32,45 € |
| 1000 + | 0,633 € | 31,65 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 259-1574
- Référence fabricant:
- SPP06N80C3XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | PG-TO220-3 | |
| Series | CoolMOS^TM | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.9Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC1, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type PG-TO220-3 | ||
Series CoolMOS^TM | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.9Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC1, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon coolmostm power transistor it is switching application this is industrial application with high DC bulk voltage. It is qualified according to JEDEC1 for target applications.
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
Ultra low gate charge
Ultra low effective capacitances
Liens connexes
- Infineon CoolMOS^TM Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin PG-TO220-3 SPP06N80C3XKSA1
- Infineon CoolMOS^TM Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon CoolMOS^TM Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin PG-TO-247 SPW55N80C3FKSA1
- Infineon CoolMOS C3 Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SPP06N80C3XKSA1
- Infineon CoolMOS^TM MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOSTM 800V Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin PG-TO220-3
- Infineon CoolMOS^TM MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220 SPA11N80C3XKSA2
- Infineon CoolMOSTM 800V Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin PG-TO220-3 SPP08N80C3XKSA1