Références fabricant

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 4.3 A, 500 V N, 3-Pin TO-252

N° de stock RS:: 258-3846
Référence fabricant:: IPD50R950CEAUMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 4.3 A, 500 V N, 3-Pin TO-252

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

437,50 €

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530,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,175 €	437,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 258-3846
Référence fabricant:: IPD50R950CEAUMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Package Type	TO-252
	Series	IPD
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	950mΩ
	Channel Mode	N
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	53W
	Forward Voltage Vf	0.83V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10.5nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Package Type TO-252
	Series IPD
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ
	Channel Mode N
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 53W
	Forward Voltage Vf 0.83V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.5nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IPD50R950CEAUMA1

The Infineon 500V CoolMOS CE is a price-performance optimized platform enabling to target cost sensitive applications in consumer and lighting markets by still meeting highest efficiency standards. The new series provides all benefits of a fast switching super junction MOSFET while not sacrificing ease of use and offering the best cost down performance ratio available on the market.

High body diode ruggedness

Reduced reverse recovery charge

Easy control of switching behaviour

Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 4.3 A, 500 V N, 3-Pin TO-252

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