Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V N, 3-Pin TO-252

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N° de stock RS:
258-3832
Référence fabricant:
IPD122N10N3GATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

59A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

IPD

Package Type

TO-252

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

12.2mΩ

Channel Mode

N

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

94W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM.

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