Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V N TO-252 IPD068P03L3GATMA1
- N° de stock RS:
- 258-3831
- Référence fabricant:
- IPD068P03L3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
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- N° de stock RS:
- 258-3831
- Référence fabricant:
- IPD068P03L3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | IPD | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.6mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series IPD | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.6mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon P-channel enhancement mode field-effect transistor is highly innovative OptiMOS families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Enhancement mode
Logic level
Avalanche rated
Fast switching
Dv/dt rated
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