Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V N TO-252 IPD068P03L3GATMA1
- N° de stock RS:
- 258-3831
- Référence fabricant:
- IPD068P03L3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
7,38 €
(TVA exclue)
8,93 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 1 610 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,476 € | 7,38 € |
| 50 - 120 | 1,344 € | 6,72 € |
| 125 - 245 | 1,252 € | 6,26 € |
| 250 - 495 | 1,184 € | 5,92 € |
| 500 + | 1,092 € | 5,46 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3831
- Référence fabricant:
- IPD068P03L3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | IPD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.6mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series IPD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.6mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon P-channel enhancement mode field-effect transistor is highly innovative OptiMOS families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Enhancement mode
Logic level
Avalanche rated
Fast switching
Dv/dt rated
Liens connexes
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET 30 V N TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 15.1 A P TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 15.1 A P TO-252 IPD65R400CEAUMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 1.7 A P TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 2.6 A N TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 4.4 A N TO-252
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 13 A P TO-252
- Infineon IPD Type P-Channel MOSFET, 2.6 A N TO-252 IPD50R3K0CEAUMA1