Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 44 A, 300 V P TO-263 IPB407N30NATMA1

Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

7,11 €

(TVA exclue)

8,60 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 15 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 97,11 €
10 - 246,75 €
25 - 496,48 €
50 - 996,18 €
100 +5,75 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
258-3807
Référence fabricant:
IPB407N30NATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

44A

Maximum Drain Source Voltage Vds

300V

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

40.7mΩ

Channel Mode

P

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 300V MOSFETs, incorporating fast diode technology, are especially optimized for body diode hard commutation. The devices not only demonstrate impressive on-state resistance and figure of merit, but also provide high system reliability through the lowest reverse recovery charge available on the market. With the 300V OptiMOS series, Infineon brings a new level of performance in hard switching applications such as telecom, uninterruptible power supplies, industrial power supplies, DC-AC inverters and motor control.

Hard commutation ruggedness

Optimized hard switching behaviour

Board space and system cost reduction

High system reliability

Best switching performance


Liens connexes