Infineon Type N-Channel MOSFET, 1200 V N TO-247 IMZ120R060M1HXKSA1
- N° de stock RS:
- 258-3764
- Référence fabricant:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
10,15 €
(TVA exclue)
12,28 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 85 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 10,15 € |
| 5 - 9 | 9,64 € |
| 10 - 24 | 9,24 € |
| 25 - 49 | 8,83 € |
| 50 + | 8,22 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3764
- Référence fabricant:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 9.8mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 5.2V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 9.8mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 5.2V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon CoolSiC 1200 V, 60 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages. These include, the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state characteristic. CoolSiC MOSFETs are ideal for hard- and resonant-switching topologies like power factor correction circuits, bi-directional topologies and DC-DC converters or DC-AC inverters.
Wide gate-source voltage range
Robust and low loss body diode rated for hard commutation
Temperature independent turn-off switching losses
Highest efficiency
Reduced cooling effort
Liens connexes
- Infineon MOSFET, 1200 V PG-TO247-4 IMZ120R060M1HXKSA1
- Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R040M1TXKSA1
- Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R010M1TXKSA1
- Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R060M1TXKSA1
- Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R020M1TXKSA1
- Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R080M1TXKSA1
- Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R160M1TXKSA1
- Infineon IMZ SiC N-Channel MOSFET 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA120R030M1HXKSA1