Infineon BSZ Type N-Channel MOSFET, 186 A, 25 V N, 8-Pin TSDSON BSZ013NE2LS5IATMA1
- N° de stock RS:
- 258-0708
- Référence fabricant:
- BSZ013NE2LS5IATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
2,78 €
(TVA exclue)
3,36 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 4 348 unité(s) expédiée(s) à partir du 01 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,39 € | 2,78 € |
| 20 - 48 | 1,25 € | 2,50 € |
| 50 - 98 | 1,17 € | 2,34 € |
| 100 - 198 | 1,085 € | 2,17 € |
| 200 + | 1,015 € | 2,03 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-0708
- Référence fabricant:
- BSZ013NE2LS5IATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 186A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | TSDSON | |
| Series | BSZ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 186A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type TSDSON | ||
Series BSZ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 25V and 30V product family, offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation.
Best-in-class on-state resistance
Benchmark switching performance
Highest efficiency
Highest power density with S3O8 or power block package
Liens connexes
- Infineon N-Channel MOSFET 25 V PG-TSDSON-8-U03 BSZ013NE2LS5IATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 30 V PG-TSDSON-8-U03 BSZ0501NSIATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 25 V PG-TSDSON BSZ009NE2LS5ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 25 V PG-TSDSON-8-FL BSZ036NE2LSATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET, 61 A PG-TSDSON-8 FL BSZ0506NSATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 40 V PG-TSDSON-8 BSZ018N04LS6ATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 200 V PG-TSDSON-8 BSZ22DN20NS3GATMA1
- Infineon N-Channel MOSFET 100 V PG-TSDSON-8 IPB039N10N3GATMA1
