Vishay Type N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V PowerPAK SO-8 SIRA10DP-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 256-7429
- Référence fabricant:
- SIRA10DP-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
- 256-7429
- Référence fabricant:
- SIRA10DP-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0095Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
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|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0095Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Semiconductor trans mosfet N-CH 30V 35.9A 8-pin powerPAK SO T, R. Its applications are synchronous rectification, high power density DC, DC and VRMs and embedded DC, DC.
TrenchFET power mosfet
100 % Rg and UIS tested
Low Qg for high efficiency
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