DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 25 A, 100 V PowerDI5060-8
- N° de stock RS:
- 254-8659
- Référence fabricant:
- DMTH10H038SPDWQ-13
- Fabricant:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,435 € | 1 087,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 254-8659
- Référence fabricant:
- DMTH10H038SPDWQ-13
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerDI5060-8 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.7W | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerDI5060-8 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.7W | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The DiodeZetex enhancement mode MOSFET has been designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP, and is ideal for use in backlighting, dc to dc converters and power management functi
Low on resistance
Wet table flank for improved optical inspection
Low input capacitance
Halogen and antimony free
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