DiodesZetex DMN2040U Type N-Channel MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 DMN2055UQ-7
- N° de stock RS:
- 254-8602
- Référence fabricant:
- DMN2055UQ-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,067 € | 1,68 € |
| 50 - 75 | 0,065 € | 1,63 € |
| 100 - 225 | 0,064 € | 1,60 € |
| 250 - 975 | 0,062 € | 1,55 € |
| 1000 + | 0,061 € | 1,53 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 254-8602
- Référence fabricant:
- DMN2055UQ-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | DMN2040U | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 33mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.36W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3mm | |
| Height | 1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series DMN2040U | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.36W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3mm | ||
Height 1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodeZetex enhancement mode MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is applicable in general purpose interfacing sw
Low on resistance
Low input capacitance
ESD protected gate
Halogen and antimony Free
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