Infineon AUIRFS Type N-Channel MOSFET, 17 A, 20 V, 3-Pin TO-263

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

1 096,80 €

(TVA exclue)

1 327,20 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 20 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
800 - 8001,371 €1 096,80 €
1600 +1,303 €1 042,40 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
249-6877
Référence fabricant:
AUIRFZ24NSTRL
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

AUIRFS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon HEXFET Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in automotive and a wide variety of other applications.

Advance planner technology

LowOn-Resistance

Dynamic dV/dT Rating

175 C operating temperature

Fast switching

Liens connexes