STMicroelectronics STD Type N-Channel MOSFET, 80 A, 35 V Enhancement, 3-Pin TO-252

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Référence fabricant:
STD80N240K6
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

35V

Series

STD

Package Type

TO-252

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.01mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

70W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

10.1mm

Standards/Approvals

UL

Height

2.4mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The STMicroelectronics is very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using the ultimate mesh K6 technology based on super junction technology. The result is the best-in-class on-resistance per area and gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Worldwide best RDS(on) x area

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Ultra low gate charge

100% avalanche tested

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