Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

6 954,00 €

(TVA exclue)

8 414,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 17 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 +3,477 €6 954,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
249-3350
Référence fabricant:
IPT044N15N5ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

174A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

IPT

Package Type

HSOF-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

81W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon Optimos 5 power mosfet is N-Channel mosfet offers very low on-resistance and superior thermal resistance. This device is Pb (Lead) and halogen free. It comes in a surface mount, PG-HSOF-8 package.

Vds (drain to source voltage) is 150 V

Rds (max on) is 4.4 milliohm and Id is 174 A

Qdss and Qg values are 188 nC and 67 nC respectively

Liens connexes