ROHM R6530KNX3 N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

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N° de stock RS:
249-1126P
Référence fabricant:
R6530KNX3C16
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-220

Series

R6530KNX3

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM high-speed switching N channel 650 V, 30 A drain current power MOSFET are high-speed switching products, super junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency, this series products achieve higher efficiency via high-speed switching, h

Low on-resistance

Ultra fast switching

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHs compliant

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