Wolfspeed Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- N° de stock RS:
- 248-8931P
- Référence fabricant:
- C3M0040120K
- Fabricant:
- Wolfspeed
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 2 - 4 | 25,37 € |
| 5 - 9 | 24,11 € |
| 10 - 14 | 22,88 € |
| 15 + | 21,73 € |
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- N° de stock RS:
- 248-8931P
- Référence fabricant:
- C3M0040120K
- Fabricant:
- Wolfspeed
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Wolfspeed | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 21mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 94nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 15 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 469W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 16.13 mm | |
| Length | 23.63mm | |
| Height | 5.21mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Wolfspeed | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 21mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 94nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 15 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 469W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 16.13 mm | ||
Length 23.63mm | ||
Height 5.21mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFET C3MTM MOSFET Technology is in N-Channel Enhancement Mode. The Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs is a range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency
3rd generation SiC MOSFET technology
Low impedance package with driver source pin
8mm of creepage distance between drain and source
High blocking voltage with low on-resistance
High-speed switching with low capacitances
Fast intrinsic diode with low reverse recovery (Qrr)
Halogen free, RoHS compliant