DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 DMTH10H015SK3-13

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246-7561
Référence fabricant:
DMTH10H015SK3-13
Fabricant:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

59A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.014Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

1.73W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.58mm

Width

6.1 mm

Standards/Approvals

No

Height

2.29mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, it has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in TO252 packaging. It offers fast switching and high efficiency. It is rated to +175°C and ideal for high ambient temperature environments. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.

Maximum drain to source voltage is 100 V and maximum gate to source voltage is ±20 V Its low RDS(ON) helps to minimize power losses Its low Qg helps to minimizes switching losses

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