DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 30 V Enhancement, 6-Pin UDFN-2020

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

366,00 €

(TVA exclue)

444,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,122 €366,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
246-6868
Référence fabricant:
DMT3020UFDB-7
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

UDFN-2020

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.03Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.86W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.8nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The DiodesZetex makes a dual N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in U-DFN2020-6 packaging and 0.6mm profile makes it ideal for low profile applications . It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.

Maximum drain to source voltage is 30 V Maximum gate to source voltage is ±12 V It has PCB Footprint of 4mm^2 It offers low gate threshold voltage It provides an ESD protected Gate

Liens connexes