Références fabricant

DiodesZetex Type P-Channel MOSFET, 160 mA, 12 V Enhancement, 8-Pin SOIC

N° de stock RS:: 246-6844
Référence fabricant:: DMP65H20D0HSS-13
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex Type P-Channel MOSFET, 160 mA, 12 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

1 552,00 €

(TVA exclue)

1 876,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
4000 +	0,388 €	1 552,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 246-6844
Référence fabricant:: DMP65H20D0HSS-13
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	160mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	12V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	20mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.73W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	4.9mm
	Height	1.45mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 160mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 12V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.73W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 4.9mm
	Height 1.45mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - DMP65H20D0HSS-13

The DiodesZetex makes a P-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in SO-8 packaging. It offers fast switching and high efficiency.

Maximum drain to source voltage is 600 V and maximum gate to source voltage is ±30 V It offers low on-resistance It has high BVDSS rating for power application It offers low input capacitance

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