Littelfuse Type N-Channel SiC Power Module, 36 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

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N° de stock RS:
245-6997
Référence fabricant:
IXFH36N60X3
Fabricant:
Littelfuse
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Marque

Littelfuse

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

36A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-247

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

90mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

446W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Littelfuse product is a 600V X3 Class Ultra Junction MOSFET available in 36A nominal current rating and TO 247 package. These Power MOSFETs feature significantly reduced channel resistance RDS on and gate charge Qg. They feature the lowest figures of merit RDS on and RDS on. These benefits enable designers to achieve higher efficiency using simplified thermal design. This HiPerFET series of power MOSFETs feature body diodes which offer low reverse recovery charge and short reverse recovery time.

Low static losses

Well-suited for high frequency applications

Simplified thermal design

High ruggedness against overvoltage

Low gate drive power demand

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