DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 12 V Enhancement
- N° de stock RS:
- 244-1929
- Référence fabricant:
- DMT10H4M9SPSW-13
- Fabricant:
- DiodesZetex
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2 315,00 €
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|---|---|---|
| 2500 + | 0,926 € | 2 315,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-1929
- Référence fabricant:
- DMT10H4M9SPSW-13
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 41mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.73W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.73W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex MOSFET packaging is reel.
Mounting type is surface mount
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