DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 12 V Enhancement, 10-Pin 4-DSN3015-10 DMN12M8UCA10-7
- N° de stock RS:
- 244-1915
- Référence fabricant:
- DMN12M8UCA10-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 25 unités)*
13,175 €
(TVA exclue)
15,95 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 4 925 unité(s) expédiée(s) à partir du 01 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,527 € | 13,18 € |
| 50 - 475 | 0,518 € | 12,95 € |
| 500 - 975 | 0,371 € | 9,28 € |
| 1000 + | 0,363 € | 9,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-1915
- Référence fabricant:
- DMN12M8UCA10-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Package Type | 4-DSN3015-10 | |
| Series | DMN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 10 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 41mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.73W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36.4nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 1.54 mm | |
| Height | 0.16mm | |
| Length | 3.03mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Package Type 4-DSN3015-10 | ||
Series DMN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 10 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 41mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.73W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36.4nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 1.54 mm | ||
Height 0.16mm | ||
Length 3.03mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex MOSFET is designed to minimize the on state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
ESD protection of gate
Totally lead free and fully RoHS compliant
Halogen and antimony free green device
Liens connexes
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 4-DSN3015-10 DMN12M8UCA10-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET X4-DSN1717-4 DMN2009UCA4-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET X4-DSN1111-4 DMN2030UCA4-7
- Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin WDFN DMN2013UFX-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 30 V, 6-Pin U-DFN2020 DMN3016LFDFQ-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 45 V TSOT26 DMN4060SVTQ-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 30 V TSOT26 DMN3061SVTQ-7
- Diodes Inc N-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin TSOT-26 DMN2024UVTQ-7
